2025年12月6日至10日，第71屆國際電子器件大會（IEDM 2025）在美國舊金山舉行。按照論文第一作者單位統(tǒng)計，北京大學(xué)共有21篇高水平學(xué)術(shù)論文（其中集成電路學(xué)院20篇）入選，成為本屆IEDM大會國際上錄用論文最多的單位（歐洲微電子研究中心IMEC位列第二位），研究成果覆蓋了先進邏輯和存儲技術(shù)及其關(guān)鍵問題、新型信息器件及其應(yīng)用、低維集成電路材料及器件、功率器件等多個領(lǐng)域。北京大學(xué)已連續(xù)5年成為全球IEDM錄用論文最多的高校，連續(xù)19年在IEDM大會上發(fā)表論文。

在先進邏輯和存儲技術(shù)及其關(guān)鍵問題研究領(lǐng)域發(fā)表論文4篇，內(nèi)容包括：高性能高密度垂直圍柵GAA器件，碩士生徐子喬、博士后褚衍邦為共同第一作者，吳恒研究員為通訊作者；面向先進節(jié)點的高密度高可靠阻變存儲器，博士生孫經(jīng)緯為第一作者，王宗巍研究員與蔡一茂教授為通訊作者；鉿基鐵電存儲印記效應(yīng)原理，博士生李昊、北京航空航天大學(xué)碩士生孫柯穎和中國科學(xué)院博士后張陳為共同第一作者，王潤聲教授、北航曾瑯教授與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所鄧惠雄研究員為通訊作者；先進工藝節(jié)點互連層三維導(dǎo)熱系數(shù)分布的高精度測量，博士生黃子豐和何宜蕓為共同第一作者，程哲研究員為通訊作者。

在新型信息器件及其應(yīng)用研究領(lǐng)域發(fā)表論文11篇，包括新型鐵電器件、新型阻變器件、新型相變器件及新型光感知器件及其應(yīng)用等方面。

其中，在新型鐵電器件及其應(yīng)用方面發(fā)表論文3篇，內(nèi)容包括：面向長文本大語言模型推理的新型鐵電KV緩存技術(shù)，博士生徐偉凱和博士生羅丹云為共同第一作者，黃如教授和黃芊芊教授為共同通訊作者，該論文獲得2025 IEDM 最佳學(xué)生論文獎提名；高吞吐高準(zhǔn)確度鐵電模擬存內(nèi)計算技術(shù)，博士生朱潤騰和寧致遠為共同第一作者，唐克超研究員為通訊作者，該工作入選2025 IEDM會議技術(shù)亮點文章；基于鐵電差分憶容器的稀疏增量存算一體大模型系統(tǒng)，博士后羅金和博士生徐劭迪為共同一作，黃如教授、黃芊芊教授及博士后羅金為共同通訊作者。

在新型阻變器件及其應(yīng)用方面發(fā)表論文3篇，內(nèi)容包括：新型單片三維集成DRAM-RRAM可重構(gòu)掩碼存算一體系統(tǒng)，鮑霖博士和博士生趙佳琪為共同第一作者，王宗巍研究員與蔡一茂教授為共同通訊作者；面向具身自主學(xué)習(xí)的RRAM存算一體SoC級加速器芯片，博士后閆龍皞和博士生詹喆為共同第一作者，楊玉超教授為通訊作者，該工作入選2025 IEDM會議技術(shù)亮點文章；面向安全點云處理的逐位異或密態(tài)存算一體加速器，博士生高一為第一作者，王宗巍研究員為通訊作者。

在新型相變器件及其應(yīng)用方面發(fā)表論文2篇，內(nèi)容包括：面向多模態(tài)模型的PCM存算一體SoC級處理器芯片，博士后閆龍皞和碩士生鄭子彤為共同第一作者，宋志棠研究員和楊玉超教授為通訊作者；面向邊緣具身智能應(yīng)用的模擬/數(shù)字混合精度PCM存算一體芯片，博士生潘澤倫和博士后閆龍皞為共同第一作者，陶耀宇副研究員、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠研究員和北京大學(xué)楊玉超教授為通訊作者。

在新型光感知器件及其應(yīng)用方面發(fā)表論文3篇，內(nèi)容包括：鐵電-光電協(xié)同增強的高密鑰空間原位光電加密器件，博士生郭欣蕊為論文第一作者，賀明研究員、北京航空航天大學(xué)曾瑯教授和北京工業(yè)大學(xué)常鵬鷹教授為通訊作者；基于光電IGZO TFT實現(xiàn)原位光感知概率計算，博士生夏晨皓、王浩旋、陳維燦為共同第一作者，劉飛研究員為通訊作者；面向空間深度估計的8位存儲與仿生多模態(tài)融合單片三維集成光電傳感器，博士生付天躍與熊雄助理研究員為共同第一作者，熊雄助理研究員與吳燕慶教授為通訊作者。

在低維集成電路材料及器件研究方面發(fā)表論文4篇，內(nèi)容包括：首次實現(xiàn)53納米接觸間距的高性能單層二硒化鎢p型晶體管，博士生邱傲成為第一作者，熊雄助理研究員與吳燕慶教授為通訊作者；首個高源漏對稱性和高熱穩(wěn)定性的二維半導(dǎo)體垂直溝道晶體管，博士后王欣和熊雄助理研究員為共同第一作者，熊雄助理研究員與吳燕慶教授為通訊作者；面向低功耗M3D集成的高性能 ITO/ZnO氧化物晶體管，博士生孫傳林和碩士生易庭甄為共同第一作者，韓德棟研究員、蔡一茂教授與北京信息科技大學(xué)董俊辰副教授為通訊作者；面向異質(zhì)集成的氫免疫氧化物半導(dǎo)體晶體管關(guān)鍵技術(shù)，博士生樊靖宇為第一作者，陸磊助理教授為通訊作者。

在GaN功率器件研究方面發(fā)表論文2篇，內(nèi)容包括：具有無損高壓漏極擊穿能力的增強型GaN HEMT晶體管，博士生余晶晶和楊俊杰為共同第一作者，魏進研究員和沈波教授為通訊作者；解耦閾值電壓與導(dǎo)通電阻的增強型p-GaN柵功率晶體管，博士生崔家瑋、付星宇和本科生徐源旸為共同第一作者，魏進研究員、楊學(xué)林研究員與沈波教授為通訊作者。

以上論文的相關(guān)研究工作得到了國家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新研究群體等項目、國家重點研發(fā)計劃、國家杰出青年科學(xué)基金、國家高層次人才特殊支持計劃、高等學(xué)校學(xué)科創(chuàng)新引智計劃、北京高校卓越青年科學(xué)家計劃等項目的資助，以及國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺、微納電子器件與集成技術(shù)全國重點實驗室、微電子器件與電路教育部重點實驗室、集成電路高精尖創(chuàng)新中心、集成電路科學(xué)與未來技術(shù)北京實驗室、多模態(tài)異構(gòu)存算一體人工智能芯片北京市重點實驗室等基地平臺的支持。

部分集成電路學(xué)院教師、學(xué)生匯報講演工作

部分參會北大師生及校友合影

信息來源： 北大集成電路學(xué)院